2SC3647T-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SC3647T-TD-E
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SC3647T-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
TRANSISTOR, NPN, 100V, 2A, SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:120MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:200hFE; Transis
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo120 V
collector-emitter saturation voltage0.13 V
collector- emitter voltage vceo max100 V
configurationSingle
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity1000
gain bandwidth product ft120 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current3 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
operating temperature-
package / casePCP-3
packagingReel
партномер8006398569
pd - power dissipation1.5 W
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
series2SC3647
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
Время загрузки0:57:46
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль