2SC3356G-A-AE2-R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage12V
maximum dc collector current100mA
pd - power dissipation200mW
18
+
Бонус: 0.36 !
Бонусная программа
Итого: 18
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage12V
maximum dc collector current100mA
pd - power dissipation200mW
transistor typeNPN
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль