2SC2713-GR,LF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Вес и габариты
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.700 at 2 mA at 6 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
74
+
Бонус: 1.48 !
Бонусная программа
Итого: 74
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Вес и габариты
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.700 at 2 mA at 6 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 125 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)120 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.120 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер300 mV
pd - рассеивание мощности150 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
серия2SC2713
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаToshiba
упаковка / блокTO-236-3
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль