2SC2712G-G-AE3-R, 50V 150mW 200@2mA,6V 150mA NPN SOT23 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SC2712G-G-AE3-R
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) UTC 2SC2712G-G-AE3-R, 50V 150mW 200@2mA,6V 150mA ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительUnisonic Technologies Co., Ltd.
БрендUnisonic Technologies Co., Ltd.
6
+
Бонус: 0.12 !
Бонусная программа
Итого: 6
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительUnisonic Technologies Co., Ltd.
БрендUnisonic Technologies Co., Ltd.
Основные
collector-emitter breakdown voltage50V
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum dc collector current150mA
партномер8003437184
pd - power dissipation150mW
transistor typeNPN
Время загрузки23:15:50
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль