2SB1260T100Q, 1uA 80V 2W 120@100mA,3V 1A 100MHz 400mV@1A,50mA PNP +150-@(Tj) SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SB1260T100Q
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT PNP 80V 1A SO-89
| Дата загрузки | 18.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.13 |
| Высота | 1.5 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Rohm |
| Бренд | Rohm |
| Основные | |
| collector- base voltage vcbo | -80 V |
| collector- emitter voltage vceo max | -80 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | -1 A |
| dc collector/base gain hfe min | 82 |
| dc current gain hfe max | 390 |
| длина | 4.5 mm |
| emitter- base voltage vebo | -5 V |
| factory pack quantity | 1000 |
| gain bandwidth product ft | 100 MHz |
| height | 1.5 mm |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 390 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 |
| конфигурация | Single |
| length | 4.5 mm |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| manufacturer | Rohm Semiconductor |
| maximum dc collector current | 1 A |
| maximum operating temperature | +150 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 80 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 80 V |
| непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| партномер | 8015765142 |
| pd - power dissipation | 500 mW |
| pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | PNP |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| product type | BJTs-Bipolar Transistors |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 100 MHz |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rohs | Details |
| series | 2SB1260 |
| серия | 2SB1260 |
| subcategory | Transistors |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ROHM Semiconductor |
| transistor polarity | PNP |
| unit weight | 0.004603 oz |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 16:53:56 |
| Ширина | 2.5 мм |
| width | 2.5 mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
