2SB1215S-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 100V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SB1215S-TL-E
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SB1215S-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 3A 100V
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.400
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора6 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)120 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.2 V
непрерывный коллекторный ток3 A
партномер8005368340
pd - рассеивание мощности20 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)130 MHz
размер фабричной упаковки700
серия2SB1215
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокTO-252-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:46:33
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль