2SB1203S-TL-E

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SB1203S-TL-E
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
290
+
Бонус: 5.8 !
Бонусная программа
Итого: 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
TRANSISTOR, PNP, -50V, -5A, TO-252; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Transition Frequency ft:130MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:-5A; DC Current Gain hFE:140hFE; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo-60 V
collector-emitter saturation voltage-0.28 V
collector- emitter voltage vceo max-50 V
configurationSingle
continuous collector current-5 A
dc current gain hfe max400
emitter- base voltage vebo-6 V
factory pack quantity700
gain bandwidth product ft130 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current-8 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSC-63-3
packagingReel
партномер8008470846
pd - power dissipation20 W
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
series2SB1203
transistor polarityPNP
Время загрузки0:46:33
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль