2SB1202S-TL-E

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SB1202S-TL-E
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
450
+
Бонус: 9 !
Бонусная программа
Итого: 450
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, PNP, -50V, -3A, TO-252; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:-3A; DC Current Gain hFE:140hFE; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
current - collector cutoff (max)1ВµA(ICBO)
current - collector (ic) (max)3A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce140 @ 100mA, 2V
frequency - transition150MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C(TJ)
package / caseTO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63
packagingCut Tape(CT)
партномер8004662331
part statusActive
power - max1W
series-
supplier device package2-TP-FA
transistor typePNP
vce saturation (max) @ ib, ic700mV @ 100mA, 2A
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки0:44:34
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль