2SB1201S-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SB1201S-TL-E
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 50V
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.4 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| частота перехода ft | 150МГц |
| collector emitter voltage max | 50В |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 2А |
| dc current gain hfe min | 140hFE |
| dc усиление тока hfe | 140hFE |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 560 |
| количество выводов | 4вывод(-ов) |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.2@50mA@1A |
| maximum collector base voltage (v) | 60 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.7@50mA@1A |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 50 |
| maximum dc collector current (a) | 2 |
| maximum emitter base voltage (v) | 6 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 800 |
| maximum transition frequency (mhz) | 150(Typ) |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 140@100mA@2V |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| mounting | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 60 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 50 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package height | 02.03.2024 |
| package length | 06.05.2024 |
| package width | 05.05.2024 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8005368328 |
| part status | Active |
| pcb changed | 2 |
| pd - рассеивание мощности | 15 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | PNP |
| power dissipation | 15Вт |
| product category | Bipolar Power |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 150 MHz |
| размер фабричной упаковки | 700 |
| серия | 2SB1201 |
| standard package name | TO-252 |
| стиль корпуса транзистора | TO-252(DPAK) |
| supplier package | DPAK |
| tab | Tab |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| type | PNP |
| упаковка / блок | TO-252-3 |
| уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 0:53:49 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
