2SB1201S-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SB1201S-E
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SB1201S-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г4
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 50V
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г4
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора4 A, - 4 A
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер150 mV, - 300 mV
непрерывный коллекторный ток2 A
партномер8006216499
pd - рассеивание мощности800 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN, PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
размер фабричной упаковки500
серия2SB1201
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-251-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:53:53
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль