2SB1182TLR, Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 2A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SB1182TLR
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm 2SB1182TLR, Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 2A
Rohm
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.26
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP 32V 2A
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.26
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
collector- base voltage vcbo:40 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:32 V
configuration:Single
continuous collector current:-2 A
dc collector/base gain hfe min:180
dc current gain hfe max:180
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:ROHM Semiconductor
maximum dc collector current:2 A
maximum operating temperature:+150 C
mounting style:SMD/SMT
партномер8004725553
pd - power dissipation:10 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:2SB1182
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки1:49:45
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль