2SAR512P5T100, Bipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SAR512P5T100
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3
Дата загрузки | 19.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 1 |
Информация о производителе | |
Производитель | Rohm |
Бренд | Rohm |
Основные | |
automotive | No |
base product number | 2SAR512 -> |
configuration | Single Dual Collector |
current - collector cutoff (max) | 1ВµA (ICBO) |
current - collector (ic) (max) | 2A |
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 200 @ 100mA, 2V |
другие названия товара № | 2SAR512P5 |
eccn | EAR99 |
eccn (us) | EAR99 |
eu rohs | Compliant with Exemption |
frequency - transition | 430MHz |
htsus | 8541.21.0075 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 500 at - 100 mA, - 2 V |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at - 100 mA, - 2 V |
конфигурация | Single |
lead shape | Flat |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
manufacturer | ROHM Semiconductor |
maximum collector base voltage (v) | 30 |
maximum collector cut-off current (na) | 1000 |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.4@35mA@700mA |
maximum collector-emitter voltage (v) | 30 |
maximum dc collector current (a) | 2 |
maximum emitter base voltage (v) | 6 |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation (mw) | 2000 |
maximum transition frequency (mhz) | 430(Typ) |
минимальная рабочая температура | 55 C |
minimum dc current gain | 200@100mA@2V |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting | Surface Mount |
mounting type | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 30 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 30 V |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
непрерывный коллекторный ток | 2 A |
number of elements per chip | 1 |
operating temperature | 150В°C (TJ) |
other related documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
package / case | TO-243AA |
packaging | Tape and Reel |
партномер | 8006255703 |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
pd - рассеивание мощности | 500 mW |
pin count | 4 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | PNP |
power - max | 500mW |
ppap | No |
product category | Bipolar Power |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 430 MHz |
размер фабричной упаковки | 1000 |
reach status | REACH Affected |
rohs status | ROHS3 Compliant |
series | - |
серия | 2SxR |
simulation models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
supplier device package | MPT3 |
supplier package | MPT |
tab | Tab |
технология | Si |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | ROHM Semiconductor |
transistor type | PNP |
type | PNP |
упаковка / блок | SOT-89-3 |
vce saturation (max) @ ib, ic | 400mV @ 35mA, 700mA |
вид монтажа | SMD/SMT |
voltage - collector emitter breakdown (max) | 30V |
Время загрузки | 1:38:55 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26