2SAR512P5T100, Bipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SAR512P5T100
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm 2SAR512P5T100, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
Rohm
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
automotiveNo
base product number2SAR512 ->
configurationSingle Dual Collector
current - collector cutoff (max)1ВµA (ICBO)
current - collector (ic) (max)2A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 100mA, 2V
другие названия товара №2SAR512P5
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
frequency - transition430MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.500 at - 100 mA, - 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at - 100 mA, - 2 V
конфигурацияSingle
lead shapeFlat
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
manufacturerROHM Semiconductor
maximum collector base voltage (v)30
maximum collector cut-off current (na)1000
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.4@35mA@700mA
maximum collector-emitter voltage (v)30
maximum dc collector current (a)2
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)2000
maximum transition frequency (mhz)430(Typ)
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain200@100mA@2V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
непрерывный коллекторный ток2 A
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
packagingTape and Reel
партномер8006255703
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности500 mW
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max500mW
ppapNo
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)430 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
series-
серия2SxR
simulation modelshttp://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
supplier device packageMPT3
supplier packageMPT
tabTab
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
transistor typePNP
typePNP
упаковка / блокSOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic400mV @ 35mA, 700mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)30V
Время загрузки1:38:55
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль