2SAR502U3T106, Bipolar Transistors - BJT PNP -0.5A Ic -30V UMT3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SAR502U3T106
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm 2SAR502U3T106, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
Rohm
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.061
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP -0.5A Ic -30V UMT3
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.061
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
base product number2SAR502 ->
частота перехода ft520МГц
collector emitter voltage max30В
continuous collector current500мА
current - collector cutoff (max)200nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain hfe min200hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 100mA, 2V
dc усиление тока hfe200hFE
eccnEAR99
frequency - transition520MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.500
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер150 mV
непрерывный коллекторный ток0.5 A
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-70, SOT-323
партномер8005258909
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power dissipation200мВт
power - max200mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)520 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияBM14270MUV-LB
стиль корпуса транзистораSOT-323
supplier device packageUMT3
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-323-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vce saturation (max) @ ib, ic400mV @ 10mA, 200mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)30V
Время загрузки1:38:55
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль