2SA2125-TD-E, 50V 3.5W 200@100mA,2V 3A PNP SOT893 Bipolar Transistors BJT ROHS
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SA2125-TD-E
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT DC-DC CONVERTER
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| collector- base voltage vcbo | -50 V |
| collector-emitter saturation voltage | -125 mV, -250 mV |
| collector- emitter voltage vceo max | -50 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | -3 A |
| dc collector/base gain hfe min | 200 |
| dc current gain hfe max | 560 |
| emitter- base voltage vebo | -6 V |
| factory pack quantity | 1000 |
| gain bandwidth product ft | 390 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 560 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| maximum dc collector current | -6 A |
| maximum operating temperature | +150 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 50 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 50 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 125 mV, - 250 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| package / case | SOT-89-3 |
| packaging | Reel |
| партномер | 8022388194 |
| pd - power dissipation | 3.5 W |
| pd - рассеивание мощности | 3.5 W |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | PNP |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 390 MHz |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rohs | Details |
| series | 2SA2125 |
| серия | 2SA2125 |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor polarity | PNP |
| упаковка / блок | SOT-89-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 1:24:55 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
