2SA2039-TL-E, 2SA2039-TL-E PNP Transistor, -5 A, -50 V, 3-Pin TP-FA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SA2039-TL-E
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SA2039-TL-E, 2SA2039-TL-E PNP Transistor ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г8
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
370
+
Бонус: 7.4 !
Бонусная программа
Итого: 370
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 5A 50V
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г8
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
collector- base voltage vcbo-50 V, 100 V
collector-emitter saturation voltage-255 mV, 160 mV
collector- emitter voltage vceo max-50 V, 100 V
configurationSingle
continuous collector current-5 A, 5 A
dc collector/base gain hfe min200
dc current gain hfe max560
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo-6 V, 6 V
eu rohsCompliant with Exemption
factory pack quantity700
gain bandwidth product ft360 MHz, 400 MHz
hts8541.29.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.560
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
manufacturerON Semiconductor
materialSi
maximum base current (a)01.02.2024
maximum base emitter saturation voltage (v)1.2@100mA@2A
maximum collector base voltage-50 V
maximum collector base voltage (v)50
maximum collector cut-off current (na)1000
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.43@100mA@2A|0.195@50mA@1A
maximum collector emitter voltage-50 V
maximum collector-emitter voltage (v)50
maximum dc collector current-5 A
maximum dc collector current (a)5
maximum emitter base voltage-6 V
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating frequency360 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation15 W
maximum power dissipation (mw)800
maximum transition frequency (mhz)360(Typ)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain200
minimum operating temperature-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V, 6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V, 100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V, 100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер255 mV, 160 mV
непрерывный коллекторный ток5 A, 5 A
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-55 to 150
package / caseTO-252
package height02.03.2024
package length06.05.2024
package typeTP-FA
package width05.05.2024
packagingTape and Reel
партномер8009813823
part statusActive
pcb changed2
pd - power dissipation15 W
pd - рассеивание мощности15 W
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)360 MHz, 400 MHz
размер фабричной упаковки700
rohsDetails
series2SA2039
серия2SA2039
standard package nameTO-252
supplier packageDPAK
tabTab
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor typePNP
typePNP
unit weight0.063493 oz
упаковка / блокTO-252-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:54:15
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль