2SA2016G-AB3-R, 100nA 50V 3.5W 200@500mA,2V 7A 290MHz 240mV@2A,40mA PNP +150-@(Tj) SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SA2016G-AB3-R
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) UTC 2SA2016G-AB3-R, 100nA 50V 3.5W 200@500mA,2V ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.15
Информация о производителе
ПроизводительUnisonic Technologies Co., Ltd.
БрендUnisonic Technologies Co., Ltd.
47
+
Бонус: 0.94 !
Бонусная программа
Итого: 47
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.15
Информация о производителе
ПроизводительUnisonic Technologies Co., Ltd.
БрендUnisonic Technologies Co., Ltd.
Основные
collector-emitter breakdown voltage50V
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum dc collector current7A
партномер8015917952
pd - power dissipation3.5W
transistor typePNP
Время загрузки23:13:04
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль