- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 4A 50V
Дата загрузки | 21.02.2024 |
Информация о производителе | |
Производитель | ON Semiconductor*** |
Бренд | ON Semiconductor*** |
Основные | |
automotive | No |
collector- base voltage vcbo | -50 V |
collector-emitter saturation voltage | -200 mV |
collector- emitter voltage vceo max | -50 V |
configuration | Single |
continuous collector current | -4 A |
dc collector/base gain hfe min | 200 |
dc current gain hfe max | 560 |
eccn (us) | EAR99 |
emitter- base voltage vebo | -6 V |
eu rohs | Compliant with Exemption |
factory pack quantity | 1000 |
gain bandwidth product ft | 360 MHz |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 560 |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
конфигурация | Single |
lead shape | Flat |
максимальный постоянный ток коллектора | 7 A |
manufacturer | ON Semiconductor |
maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.2@100mA@2A |
maximum collector base voltage | -50 V |
maximum collector base voltage (v) | 50 |
maximum collector cut-off current (na) | 1000 |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.18@50mA@1A|0.34@100mA@2A |
maximum collector emitter voltage | 50 V |
maximum collector-emitter voltage (v) | 50 |
maximum dc collector current | -7 A |
maximum dc collector current (a) | 4 |
maximum emitter base voltage | -6 V |
maximum emitter base voltage (v) | 6 |
maximum operating frequency | 360 MHz |
maximum operating temperature | +150 °C |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation | 3.5 W |
maximum power dissipation (mw) | 1300 |
minimum dc current gain | 200 |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
mounting | Surface Mount |
mounting style | SMD/SMT |
mounting type | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 50 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 50 V |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
непрерывный коллекторный ток | 4 A |
number of elements per chip | 1 |
operating junction temperature (°c) | 150 |
package / case | PCP-3 |
package type | PCP |
packaging | Cut Tape |
партномер | 8008459439 |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
pd - power dissipation | 3.5 W |
pd - рассеивание мощности | 3.5 W |
pin count | 3 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | PNP |
ppap | No |
product category | Bipolar Transistors-BJT |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 360 MHz |
размер фабричной упаковки | 1000 |
rohs | Details |
series | 2SA2013 |
серия | 2SA2013 |
standard package name | SOT |
supplier package | SOT-89 |
tab | Tab |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | ON Semiconductor |
transistor configuration | Single |
transistor polarity | PNP |
transistor type | PNP |
type | PNP |
упаковка / блок | PCP-3 |
вид монтажа | SMD/SMT |
Время загрузки | 0:54:20 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26