2SA2013-TD-E

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SA2013-TD-E
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 4A 50V
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
collector- base voltage vcbo-50 V
collector-emitter saturation voltage-200 mV
collector- emitter voltage vceo max-50 V
configurationSingle
continuous collector current-4 A
dc collector/base gain hfe min200
dc current gain hfe max560
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo-6 V
eu rohsCompliant with Exemption
factory pack quantity1000
gain bandwidth product ft360 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.560
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияSingle
lead shapeFlat
максимальный постоянный ток коллектора7 A
manufacturerON Semiconductor
maximum base emitter saturation voltage (v)1.2@100mA@2A
maximum collector base voltage-50 V
maximum collector base voltage (v)50
maximum collector cut-off current (na)1000
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.18@50mA@1A|0.34@100mA@2A
maximum collector emitter voltage50 V
maximum collector-emitter voltage (v)50
maximum dc collector current-7 A
maximum dc collector current (a)4
maximum emitter base voltage-6 V
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating frequency360 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation3.5 W
maximum power dissipation (mw)1300
minimum dc current gain200
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
непрерывный коллекторный ток4 A
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)150
package / casePCP-3
package typePCP
packagingCut Tape
партномер8008459439
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation3.5 W
pd - рассеивание мощности3.5 W
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
ppapNo
product categoryBipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)360 MHz
размер фабричной упаковки1000
rohsDetails
series2SA2013
серия2SA2013
standard package nameSOT
supplier packageSOT-89
tabTab
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor typePNP
typePNP
упаковка / блокPCP-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:54:20
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль