2SA2012-TD-E, Транзистор: PNP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SA2012-TD-E
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SA2012-TD-E, Транзистор: PNP
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.12
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
230
+
Бонус: 4.6 !
Бонусная программа
Итого: 230
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.12
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationSingle Dual Collector
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
hts8541.29.00.75
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeFlat
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)1.2@30mA@1.5A
maximum collector base voltage (v)30
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.21@30mA@1.5A|0.26@125mA@2.5A
maximum collector-emitter voltage (v)30
maximum dc collector current (a)5
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1300
maximum transition frequency (mhz)350(Typ)
militaryNo
minimum dc current gain200@500mA@2V
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
package height01.05.2024
package length04.05.2024
package width02.05.2024
packagingTape and Reel
партномер8010854428
part statusActive
pcb changed3
pin count4
product categoryBipolar Power
standard package nameTO-243-AA
supplier packageSOT-89
tabTab
typePNP
Время загрузки0:54:22
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль