2SA1832-GR,LF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Вес и габариты
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.400 at - 2 mA, - 6 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)70 at - 2 mA, - 6 V
49
+
Бонус: 0.98 !
Бонусная программа
Итого: 49
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Вес и габариты
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.400 at - 2 mA, - 6 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)70 at - 2 mA, - 6 V
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 125 C
максимальный постоянный ток коллектора150 mA
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер100 mV
pd - рассеивание мощности100 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)80 MHz
размер фабричной упаковки3000
серия2SA1832
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаToshiba
упаковка / блокSOT-426-3
вес, г0.0024
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль