Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	70
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V

Все характеристики

44 ₽

– +

Бонус: 0.88 !

Бонусная программа

Итого: 44 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	70
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
непрерывный коллекторный ток	150 mA
pd - рассеивание мощности	100 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	80 MHz
размер фабричной упаковки	3000
серия	2SA1586
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	SC-70-3
вес, г	0.028
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

2SA1586SU-GR,LF