2SA1416T-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 1A 100V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SA1416T-TD-E
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SA1416T-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0513
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT BIP PNP 1A 100V
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0513
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
непрерывный коллекторный ток1 A
партномер8005525885
pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)120 MHz
размер фабричной упаковки1000
серия2SA1416
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокPCP-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:02:32
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль