2SA1298-Y,LF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built-in transistor
Вес и габариты
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.320
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built-in transistor
Вес и габариты
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.320
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
квалификацияAEC-Q101
максимальный постоянный ток коллектора800 mA
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.25 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V
непрерывный коллекторный ток800 mA
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)120 MHz
размер фабричной упаковки3000
серия2SA1298
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаToshiba
упаковка / блокTO-236MOD-3
вес, г0.012
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль