2PD602ASL,215, 2PD602ASL,215 NPN Transistor, 500 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2PD602ASL,215
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia 2PD602ASL,215, 2PD602ASL,215 NPN Transistor ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
15
+
Бонус: 0.3 !
Бонусная программа
Итого: 15
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsTransistors single NPN, A great choice of devices, and packages down to ultra-small sizes, Part of a 300+ strong, small-signal bipolar device portfolio, our single NPN transistors are pefect for your switching and amplification applications.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product number2PD602 ->
частота перехода ft180МГц
current - collector cutoff (max)10nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce170 @ 150mA, 10V
dc усиление тока hfe170hFE
длина3 mm
другие названия товара №9,34062E+11
eccnEAR99
frequency - transition180MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.40 at 500 mA, 10 V
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
maximum collector base voltage60 V
maximum collector emitter voltage50 V
maximum dc collector current500 mA
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency180 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation250 mW
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain40
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23(TO-236AB)
партномер8014479825
pd - рассеивание мощности250 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation250мВт
power - max250mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)180 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
стиль корпуса транзистораTO-236AB
supplier device packageTO-236AB
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vce saturation (max) @ ib, ic600mV @ 30mA, 300mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки14:31:13
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль