2PB710ARL,215, Bipolar Transistors - BJT 2PB710ARL/SOT23/TO-236AB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2PB710ARL,215
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia 2PB710ARL,215, Bipolar Transistors - BJT ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
87
+
Бонус: 1.74 !
Бонусная программа
Итого: 87
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 50V 500MA PNP GEN-PURPOSE TRAN
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product number2PB710 ->
current - collector cutoff (max)10nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce120 @ 150mA, 10V
длина3 mm
другие названия товара №2PB710ARL T/R
eccnEAR99
frequency - transition120MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.40 at 0.5 A at 10 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
партномер8005545502
pd - рассеивание мощности250 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max250mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)120 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
supplier device packageTO-236AB
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic600mV @ 30mA, 300mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:09:29
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль