2PA1576S,115

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7
Вес и габариты
base product number2PA1576 ->
collector- base voltage vcbo60 V
collector- emitter voltage vceo max50 V
12
+
Бонус: 0.24 !
Бонусная программа
Итого: 12
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7
Вес и габариты
base product number2PA1576 ->
collector- base voltage vcbo60 V
collector- emitter voltage vceo max50 V
configurationSingle
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)150mA
dc collector/base gain hfe min270 at 1 mA, 6 V
dc current gain hfe max270 at 1 mA, 6 V
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce270 @ 1mA, 6V
длина2.2 mm
другие названия товара №2PA1576S T/R
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity3000
frequency - transition100MHz
gain bandwidth product ft100 MHz
Высота 1 мм
htsus8541.21.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.270 at 1 mA at 6 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)270 at 1 mA at 6 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.15 A
manufacturerNEXPERIA
maximum dc collector current0.15 A
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура65 C
minimum operating temperature-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-70, SOT-323
packagingCut Tape or Reel
part # aliases2PA1576S T/R
pd - power dissipation200 mW
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max200mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
qualificationAEC-Q101
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
subcategoryTransistors
supplier device packageSOT-323
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor polarityPNP
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-323-3
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 5mA, 50mA
вес, г0.005
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Ширина1.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль