2N930B PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N930B PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central 2N930B PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
570
+
Бонус: 11.4 !
Бонусная программа
Итого: 570
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
gain bandwidth product ft:45 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:30 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
packaging:Bulk
партномер8004700456
pd - power dissipation:500 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:23:50
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль