2N718A PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N718A PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central 2N718A PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.14
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
570
+
Бонус: 11.4 !
Бонусная программа
Итого: 570
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.14
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:75 V
collector-emitter saturation voltage:1.5 V
collector- emitter voltage vceo max:32 V
configuration:Single
continuous collector current:750 mA
dc collector/base gain hfe min:40
dc current gain hfe max:120
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
gain bandwidth product ft:60 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:750 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-18-3
packaging:Bulk
партномер8005049667
pd - power dissipation:500 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:2N718
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:23:52
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль