2N6551 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 120Vcbo 60Vceo 6.0Vebo

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N6551 PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central 2N6551 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г6.92
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
1 570
+
Бонус: 31.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 570
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г6.92
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter saturation voltage:1 V
collector- emitter voltage vceo max:60 V
configuration:Single
continuous collector current:1 A
dc collector/base gain hfe min:80
dc current gain hfe max:300
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:500
gain bandwidth product ft:375 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:1 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-202
packaging:Bulk
партномер8004700455
pd - power dissipation:2 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:23:56
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль