2N6520TA, 2N6520 PNP Transistor, -500 mA, -350 V, 3-Pin TO-92

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N6520TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2N6520TA, 2N6520 PNP Transistor, -500 mA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
21
+
Бонус: 0.42 !
Бонусная программа
Итого: 21
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsBipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
base part number2N6520
current - collector cutoff (max)50nA(ICBO)
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce20 @ 50mA, 10V
frequency - transition200MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerON Semiconductor
maximum collector base voltage-350 V
maximum collector emitter voltage-350 V
maximum dc collector current-500 mA
maximum emitter base voltage-5 V
maximum operating frequency200 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation625 mW
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
operating temperature150В°C(TJ)
package / caseTO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(Formed Leads)
package typeTO-92
packagingTape & Box(TB)
партномер8014478807
part statusActive
pin count3
power - max625mW
series-
supplier device packageTO-92-3
transistor configurationSingle
transistor typePNP
vce saturation (max) @ ib, ic1V @ 5mA, 50mA
voltage - collector emitter breakdown (max)350V
Время загрузки0:23:13
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль