2N6517TA, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 999 мА, 625 мВт, TO-92, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N6517TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2N6517TA, Биполярный транзистор, NPN, 400 В ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.59
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.59
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:350 V
collector-emitter saturation voltage:1 V
collector- emitter voltage vceo max:350 V
configuration:Single
continuous collector current:500 mA
dc collector/base gain hfe min:30
dc current gain hfe max:200
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
gain bandwidth product ft:200 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:500 mA
maximum operating temperature:+150 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-92-3 Kinked Lead
packaging:Ammo Pack
партномер8470523045
part # aliases:2N6517TA_NL
pd - power dissipation:625 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:2N6517
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки2:01:04
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль