2N6517TA, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 999 мА, 625 мВт, TO-92, Through Hole
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N6517TA
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Дата загрузки | 20.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.59 |
Информация о производителе | |
Производитель | ON Semiconductor*** |
Бренд | ON Semiconductor*** |
Основные | |
collector- base voltage vcbo: | 350 V |
collector-emitter saturation voltage: | 1 V |
collector- emitter voltage vceo max: | 350 V |
configuration: | Single |
continuous collector current: | 500 mA |
dc collector/base gain hfe min: | 30 |
dc current gain hfe max: | 200 |
emitter- base voltage vebo: | 6 V |
factory pack quantity: factory pack quantity: | 2000 |
gain bandwidth product ft: | 200 MHz |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
manufacturer: | onsemi |
maximum dc collector current: | 500 mA |
maximum operating temperature: | +150 C |
mounting style: | Through Hole |
package / case: | TO-92-3 Kinked Lead |
packaging: | Ammo Pack |
партномер | 8470523045 |
part # aliases: | 2N6517TA_NL |
pd - power dissipation: | 625 mW |
product category: | Bipolar Transistors-BJT |
product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
series: | 2N6517 |
subcategory: | Transistors |
technology: | Si |
transistor polarity: | NPN |
Время загрузки | 2:01:04 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26