2N6517BU
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| Высота | 4.7 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| category | Bipolar Small Signal |
| configuration | Single |
| длина | 4.7 mm |
| другие названия товара № | 2N6517BU_NL |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| frequency | 200(MHz) |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 200 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Through Hole |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| maximum base current (a) | 0.25 |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 0.75@1mA@10mA|0.85@2mA@20mA|0.9@3mA@30mA |
| maximum collector base voltage (v) | 350 |
| maximum collector cut-off current (na) | 50 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.3@1mA@10mA|0.35@2mA@20mA|0.5@3mA@30mA|1@5mA@50mA |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 350 |
| maximum dc collector current (a) | 0.5 |
| maximum emitter base voltage (v) | 6 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 625 |
| maximum transition frequency (mhz) | 200 |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 350 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 350 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| number of elements | 1 |
| number of elements per chip | 1 |
| operating junction temperature (°c) | -55 to 150 |
| operating temperature classification | Military |
| operating temp range | -55C to 150C |
| output power | Not Required(W) |
| package type | TO-92 |
| packaging | Bag |
| партномер | 8008470718 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power dissipation | 0.625(W) |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Small Signal |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 200 MHz |
| rad hardened | No |
| размер фабричной упаковки | 10000 |
| серия | 2N6517 |
| standard package name | TO |
| supplier package | TO-92 |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| transistor polarity | NPN |
| type | NPN |
| упаковка | Bulk |
| упаковка / блок | TO-92-3 |
| вид монтажа | Through Hole |
| Время загрузки | 2:02:08 |
| Ширина | 3.93 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
