Name: 2N6491G
Brand: ON Semiconductor***

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2N6491G

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	2.68
Высота	15.75 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***

Все характеристики

430 ₽

– +

Бонус: 8.6 !

Бонусная программа

Итого: 430 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементBIPOLAR, TRANSISTOR; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:5MHz; Power Dissipation Pd:1.8W; DC Collector Current:-15A; DC Current Gain hFE:5hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:2NXXXX Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):20V; Gain Bandwidth ft Typ:5MHz; Hfe Min:150; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	2.68
Высота	15.75 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
configuration	Common Base
dimensions	10.28x4.82x15.75 mm
длина	10.53 mm
height	15.75 mm
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	20
конфигурация	Single
length	10.28 mm
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	15 A
material	Si
maximum collector base voltage	90 V dc
maximum collector emitter voltage	-80 V
maximum dc collector current	-15 A
maximum emitter base voltage	5 V
maximum operating frequency	1 MHz
maximum operating temperature	+150 °C
maximum power dissipation	75 W
минимальная рабочая температура	65 C
minimum dc current gain	20
mounting type	Through Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	90 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	3.5 V
непрерывный коллекторный ток	15 A
number of elements per chip	1
number of pins	3
package type	TO-220
партномер	8002981645
pd - рассеивание мощности	75 W
pin count	3
подкатегория	Transistors
polarity	PNP
полярность транзистора	PNP
power dissipation	75 W
primary type	Si
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	5 MHz
размер фабричной упаковки	50
серия	2N6491
temperature, operating, maximum	+150 °C
temperature, operating, minimum	-65 °C
temperature, operating, range	-65 to+150 °C
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	ON Semiconductor
transistor configuration	Single
transistor type	PNP
type	Power
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
вид монтажа	Through Hole
Время загрузки	0:44:56
Ширина	4.83 мм
width	4.82 mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)2N6491 2N6491G