2N6388G, 2N6388G NPN Darlington Transistor, 10 A 80 V HFE:2500, 3-Pin TO-220
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N6388G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Darlington PairsТранзисторы Дарлингтона 10A 80V Bipolar Power NPN
Дата загрузки | 21.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 1 |
Высота | 15.75 mm |
Информация о производителе | |
Производитель | ON Semiconductor*** |
Бренд | ON Semiconductor*** |
Основные | |
automotive | No |
collector emitter voltage max | 80В |
configuration | Single |
continuous collector current | 10А |
dc current gain hfe min | 100hFE |
dc усиление тока hfe | 100hFE |
длина | 10.53 mm |
eccn (us) | EAR99 |
eu rohs | Compliant with Exemption |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Транзисторы Дарлингтона |
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 20000 |
количество выводов | 3вывод(-ов) |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 1000 |
конфигурация | Single |
lead shape | Through Hole |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
максимальный ток отсечки коллектора | 1000 uA |
maximum base current (a) | 0.25 |
maximum collector base voltage | 80 V |
maximum collector base voltage (v) | 80 |
maximum collector cut-off current | 1mA |
maximum collector emitter saturation voltage | 3 V |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 2@0.01A@5A|3@0.1A@10A |
maximum collector emitter voltage | 80 V |
maximum collector-emitter voltage (v) | 80 |
maximum continuous collector current | 10 A |
maximum continuous dc collector current (a) | 10 |
maximum emitter base voltage | 5 V |
maximum emitter base voltage (v) | 5 |
maximum operating temperature | +150 °C |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation | 65 W |
maximum power dissipation (mw) | 2000 |
минимальная рабочая температура | 65 C |
minimum dc current gain | 2500 |
minimum dc current gain range | <500|500 to 3600 |
minimum operating temperature | -65 °C |
minimum operating temperature (°c) | -65 |
монтаж транзистора | Through Hole |
mounting | Through Hole |
mounting type | Through Hole |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 80 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 80 V |
непрерывный коллекторный ток | 10 A |
number of elements per chip | 1 |
operating junction temperature (°c) | -65 to 150 |
package type | TO-220 |
packaging | Tube |
партномер | 8014506564 |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
pd - рассеивание мощности | 65 W |
pin count | 3 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | NPN |
power dissipation | 65Вт |
ppap | No |
размер фабричной упаковки | 50 |
серия | 2N6388 |
standard package name | TO |
стиль корпуса транзистора | TO-220 |
supplier package | TO-220AB |
tab | Tab |
тип продукта | Darlington Transistors |
торговая марка | ON Semiconductor |
transistor configuration | Single |
transistor type | NPN |
type | NPN |
typical current gain bandwidth (mhz) | 20(Min) |
упаковка | Tube |
упаковка / блок | TO-220-3 |
уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
вид монтажа | Through Hole |
Время загрузки | 0:54:08 |
Ширина | 4.83 мм |
width | 10.28mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26