2N6338G, Bipolar Transistors - BJT 25A 100V 200W NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N6338G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2N6338G, Bipolar Transistors - BJT 25A 100V ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.18
Высота8.51 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
4 830
+
Бонус: 96.6 !
Бонусная программа
Итого: 4 830
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 25A 100V 200W NPN
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.18
Высота8.51 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина39.37 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора25 A
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)120 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.8 V
непрерывный коллекторный ток25 A
партномер8006233249
pd - рассеивание мощности200 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)40 MHz
размер фабричной упаковки100
серия2N6338
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковкаTray
упаковка / блокSMB-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:54:12
Ширина26.67 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль