Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	100 at 2.5 A at 4 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	20 at 2.5 A at 4 V

11 000 ₽

– +

Бонус: 220 !

Бонусная программа

Итого: 11 000 ₽

Купить

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	100 at 2.5 A at 4 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	20 at 2.5 A at 4 V
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора	7 A
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2 V
pd - рассеивание мощности	90 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
размер фабричной упаковки	1
rohs	N
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Microsemi
упаковка	Tray
упаковка / блок	TO-66-2
вид монтажа	Through Hole

Отзывов нет

Кнопки

2N6315