2N6300 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT . .

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N6300 PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central 2N6300 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT . .
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г5.84
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
4 760
+
Бонус: 95.2 !
Бонусная программа
Итого: 4 760
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г5.84
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter saturation voltage:3 V
collector- emitter voltage vceo max:60 V
configuration:Single
continuous collector current:8 A
dc collector/base gain hfe min:750
dc current gain hfe max:18000
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:30
gain bandwidth product ft:4 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:8 A
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-66
packaging:Tube
партномер8005049646
pd - power dissipation:75 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:24:04
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль