2N6290 PBFREE

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 50V 7A 4MHz 40W Through Hole TO-220
Вес и габариты
current - collector cutoff (max)1mA
current - collector (ic) (max)7A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce30 @ 2.5A, 4V
450
+
Бонус: 9 !
Бонусная программа
Итого: 450
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 50V 7A 4MHz 40W Through Hole TO-220
Вес и габариты
current - collector cutoff (max)1mA
current - collector (ic) (max)7A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce30 @ 2.5A, 4V
eccnEAR99
frequency - transition4MHz
htsus8541.29.0095
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-220-3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max40W
размер фабричной упаковки400
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageTO-220
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаCentral Semiconductor
transistor typeNPN
упаковкаBulk
vce saturation (max) @ ib, ic3.5V @ 3A, 7A
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль