Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP Transistor

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	100
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25

18 820 ₽

– +

Бонус: 376.4 !

Бонусная программа

Итого: 18 820 ₽

Купить

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	100
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 200 C
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2 V
непрерывный коллекторный ток	10 A
pd - рассеивание мощности	150 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	1 MHz
размер фабричной упаковки	1
rohs	N
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Microsemi
упаковка	Tray
упаковка / блок	TO-3
вид монтажа	Through Hole

Отзывов нет

Кнопки

2N6229