2N6193, Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N6193
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip 2N6193, Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г14.31
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
3 990
+
Бонус: 79.8 !
Бонусная программа
Итого: 3 990
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г14.31
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
collector- base voltage vcbo:100 V
collector-emitter saturation voltage:700 mV
collector- emitter voltage vceo max:100 V
configuration:Single
dc collector/base gain hfe min:60 at 2 A, 2 VDC
dc current gain hfe max:240 at 2 A, 2 VDC
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Microchip
maximum dc collector current:5 A
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-39-3
packaging:Bulk
партномер8004809154
pd - power dissipation:1 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки2:23:37
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль