2N6123 PBFREE

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central 2N6123 PBFREE
Дата загрузки23.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
660
+
Бонус: 13.2 !
Бонусная программа
Итого: 660
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 80V 4A 2.5MHz 40W Through Hole TO-220
Дата загрузки23.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
current - collector cutoff (max)1mA
current - collector (ic) (max)4A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce20 @ 1.5A, 2V
eccnEAR99
frequency - transition2.5MHz
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
партномер8006595656
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max40W
размер фабричной упаковки50
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageTO-220
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаCentral Semiconductor
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic1.4V @ 1A, 4A
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Время загрузки0:24:10
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль