2N6111G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2N6111G
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.041
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
450
+
Бонус: 9 !
Бонусная программа
Итого: 450
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, PNP, -30V, -7A, TO-220AB; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-30V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:-7A; DC Current Gain hFE:30hFE; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.041
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
categoryBipolar Power
configurationSingle
frequency10(MHz)
frequency (max)10 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector base voltage40 V dc
maximum collector emitter voltage-30 V
maximum dc collector current-7 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency4 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation40 W
mountingThrough Hole
mounting typeThrough Hole
number of elements1
number of elements per chip1
operating temperature classificationMilitary
operating temp range-65C to 150C
output powerNot Required(W)
package typeTO-220AB
packagingRail/Tube
партномер8002981644
pin count3+Tab
power dissipation40(W)
rad hardenedNo
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor typePNP
Время загрузки0:44:58
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль