2N5963 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 30Vceo 7.0Vebo 50mA 625mW

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N5963 PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central 2N5963 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.21
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.21
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:30 V
collector-emitter saturation voltage:200 mV
collector- emitter voltage vceo max:30 V
configuration:Single
continuous collector current:50 mA
dc collector/base gain hfe min:1200
dc current gain hfe max:2200
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
gain bandwidth product ft:150 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:50 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-92-3
packaging:Bulk
партномер8005049616
pd - power dissipation:625 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:24:16
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль