2N5961 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Low Lvl SW

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N5961 PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central 2N5961 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.45
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
230
+
Бонус: 4.6 !
Бонусная программа
Итого: 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.45
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter saturation voltage:200 mV
collector- emitter voltage vceo max:60 V
configuration:Single
continuous collector current:50 mA
dc collector/base gain hfe min:150 at 10 mA, 5 V
dc current gain hfe max:700 at 10 mA, 5 V
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:50 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-92-3
packaging:Bulk
партномер8005049614
pd - power dissipation:625 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:2N59
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:24:18
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль