Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 80V 10A 4MHz 150W Through Hole TO-3

Подробное описание

Вес и габариты
current - collector cutoff (max)	1mA
current - collector (ic) (max)	10A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	20 @ 4A, 4V

1 580 ₽

– +

Бонус: 31.6 !

Бонусная программа

Итого: 1 580 ₽

Купить

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 80V 10A 4MHz 150W Through Hole TO-3

Вес и габариты
current - collector cutoff (max)	1mA
current - collector (ic) (max)	10A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	20 @ 4A, 4V
eccn	EAR99
frequency - transition	4MHz
htsus	8541.29.0095
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-65В°C ~ 200В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-204AA, TO-3
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
power - max	150W
размер фабричной упаковки	20
reach status	REACH Unaffected
rohs status	ROHS3 Compliant
supplier device package	TO-3
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Central Semiconductor
transistor type	NPN
упаковка	Tube
vce saturation (max) @ ib, ic	3V @ 2.5A, 10A
voltage - collector emitter breakdown (max)	80V

Отзывов нет

Кнопки

2N5878 PBFREE