2N5822 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT 70Vcbo 70Vces 60Vceo 5.0V 750mA 625wW

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N5822 PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central 2N5822 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.21
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
970
+
Бонус: 19.4 !
Бонусная программа
Итого: 970
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.21
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:70 V
collector-emitter saturation voltage:1.2 V
collector- emitter voltage vceo max:60 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
gain bandwidth product ft:120 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:750 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
packaging:Bulk
партномер8005049613
pd - power dissipation:625 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:24:21
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль