2N5786 TIN/LEAD, Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N5786 TIN/LEAD
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central 2N5786 TIN/LEAD, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
1 380
+
Бонус: 27.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 380
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:45 V
collector-emitter saturation voltage:2 V
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:3.5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:500
gain bandwidth product ft:4 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:3.5 A
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
packaging:Bulk
партномер8005049612
pd - power dissipation:10 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:24:21
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль