2N5666, Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N5666
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Microchip 2N5666, Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.77
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
12 370
+
Бонус: 247.4 !
Бонусная программа
Итого: 12 370
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г2.77
Информация о производителе
ПроизводительMicrochip Technology
БрендMicrochip Technology
Основные
collector- base voltage vcbo:250 V
collector-emitter saturation voltage:400 mV
collector- emitter voltage vceo max:300 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Microchip
maximum dc collector current:5 A
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
packaging:Bulk
партномер8004581536
pd - power dissipation:1.2 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки2:24:22
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль