Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Power BJT

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 200 C

10 020 ₽

– +

Бонус: 200.4 !

Бонусная программа

Итого: 10 020 ₽

Купить

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 200 C
максимальный постоянный ток коллектора	5 A
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	250 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	400 mV
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
размер фабричной упаковки	100
rohs	N
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Microchip / Microsemi
упаковка	Tray
упаковка / блок	TO-66-2
вид монтажа	Through Hole

Отзывов нет

Кнопки

2N5664