2N5551TFR, Транзистор: NPN
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N5551TFR
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| collector- base voltage vcbo: | 180 V |
| collector-emitter saturation voltage: | 200 mV |
| collector- emitter voltage vceo max: | 160 V |
| configuration | Single |
| configuration: | Single |
| continuous collector current: | 600 mA |
| dc collector/base gain hfe min: | 80 |
| dc current gain hfe max: | 250 |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo: | 6 V |
| eu rohs | Compliant |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 2000 |
| gain bandwidth product ft: | 300 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| lead shape | Through Hole |
| manufacturer: | onsemi |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1 1mA 10mA|1 5mA 50mA |
| maximum collector base voltage (v) | 180 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.15 1mA 10mA|0.2 5mA 50mA |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 160 |
| maximum dc collector current: | 600 mA |
| maximum dc collector current (a) | 0.6 |
| maximum emitter base voltage (v) | 6 |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 625 |
| maximum transition frequency (mhz) | 300 |
| minimum dc current gain | 80 1mA 5V|80 10mA 5V|30 50mA 5V |
| minimum operating temperature: | -55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Through Hole |
| mounting style: | Through Hole |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case: | TO-92-3 Kinked Lead |
| packaging | Tape and Reel |
| packaging: | Reel, Cut Tape |
| партномер | 8012568844 |
| part # aliases: | 2N5551TFR_NL |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation: | 625 mW |
| pin count | 3 |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Small Signal |
| product category: | Bipolar Transistors-BJT |
| product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| series: | 2N5551 |
| standard package name | TO-92 |
| subcategory: | Transistors |
| supplier package | TO-92 |
| technology: | Si |
| transistor polarity: | NPN |
| type | NPN |
| Время загрузки | 0:24:57 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
